宋彬
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蔺帅
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郭新格
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杨骋
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林建超
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童鹏
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孙玉平
低温物理学报
我们通过高能球磨的方法,制备出平均晶粒尺寸为45纳米(nm)的GaCMn3纳米晶样品,并研究了其磁热和铁磁-顺磁相变的临界行为.在磁场变化2T时,相比于块体GaCMr3,虽然纳米晶GaCMn3的磁熵变(-ASM)减小了,但是其相对磁制冷能力(RCP)却增强了.通过Kouvel-Fisher方法,我们确定了GaCMr3纳米晶铁磁-顺磁相变的临界指数β=0.463和γ=1.161,根据Widom标度理论,得出第三个临界指数δ=3.51.这些临界指数和平均场模型的临界指数(β=0.5,γ =1.0,andδ=3.0)很接近,表明GaCMn3纳米晶中的铁磁耦合是长程的.
关键词:
反钙钛矿结构GaCMn3
,
纳米晶
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磁热效应
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临界行为
钱文超
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高关胤
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吴文彬
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杨骋
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童鹏
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孙玉平
低温物理学报
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3 (001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMr3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450 mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优电实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.
关键词:
GaCMn3反钙钛矿薄膜
,
不同激光能量
,
多取向结构
,
应力
,
磁电输运性质
