材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

空洞蠕变的理论模型

林明通 , 蒋丹宇 , 朱国强 , 施剑林

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.05.004

综述了最近30年文献上报道的适用于陶瓷材料的蠕变空洞成核、生长的理论模型,剖析了这些模型的成功和不足之处,展望了该领域的研究前景.

关键词: 蠕变 , 空洞 , 模型

沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

楼均辉 , 林明通 , 陈国荣 , 杨云霞 , 肖田 , 陈晨曦

材料导报

采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄...

关键词: Ba0.5Sr0.5TiO3 , 薄膜 , 介电性能 , 沉积温度 , 退火处理

Y-α-β Sialon复相陶瓷的显微结构和蠕变行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

无机材料学报

研究了一种以ＹＡＧ为晶界相和理论初始α／β比率为６５／３５的Ｙ－α－β复相ｓｉａｌｏｎ在温度１２５０～１３５０℃和应力１１０～２９０ＭＰａ的四点弯曲蠕变行为，得出在１２５０、１３００、１３５０℃下的应力指数分别为１．３１、１．４９、１．６２，蠕变激活能为６７７ｋＪ.ｍｏｌ^-1，...

关键词: 复相sialon , creep , microstructure , oxidation , phase transformation

无机EL显示器件用高性能介电层的研究

肖田 , 林明通 , 徐毅 , 陈晨曦 , 陈国荣 , 杨云霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.005

用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间...

关键词: 无机EL , SrTiO3薄膜 , Ta2O5薄膜 , SrTiO3/Ta2O5复合膜

一种热压β-sialon的蠕变和蠕变恢复行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.01.008

研究了一种以Sm-黄长石固溶体(M＇)为晶界相的β-sialon在温度为1300 ℃、应力为110～270MPa条件下的四点弯曲蠕变行为.应力指数为1.2,蠕变后试样的显微结构观察表明在晶界点出现蠕变空洞.由此推测扩散调节的晶界滑移是主导蠕变机制在1300 ℃/200MPa下的蠕变恢复行为归因于残余...

关键词: β-sialon , 蠕变 , 蠕变恢复

Y-α-β Sialon复相陶瓷的显微结构和蠕变行为

林明通 , 蒋丹宇 , 汪霖 , 阮美玲 , 施剑林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.014

研究了一种以YAG为晶界相和理论初始α/β比率为65/35的Y-c-β复相sialon在温度1250～1350°C和应力110～290MPa的四点弯曲蠕变行为,得出在1250、1300、1350°C下的应力指数分别为1.31、1.49、1.62,蠕变激活能为677kJ.mol-1,显微结构观察表明几...

关键词: 复相sialon , 蠕变 , 显微结构 , 氧化 , 相变

电子束蒸发Al2O3/TiO2复合膜及在无机EL中的应用

黄浩 , 肖田 , 张羿 , 林明通

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.014

开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一.采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10 nm/10 nm、20 nm/20 nm、40 nm/40 nm、总厚度约600 nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800 nm的AlxTiyOz复...

关键词: 电子束蒸发 , Al2O3-TiO2复合膜 , 介电性能 , ZnS:Mn器件

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词