林海安
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吴冲若
材料研究学报
本文报道了Al/LB聚酰亚胺膜/P-Si(100)MIS结构的C一V特性研究结果.67层LB膜样品C-V特性近乎理想,具有负的固定电荷密度约1011cm-2量级,平带时滞后小于0.3V对于MIS隧道结,除了在-0.5—-1.5V间具有反型层箝位产生的电容峰外,在-1.5—-4V间还出现了另一电容峰值.假设在强电场下隧穿能力剧增,从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区,可以解释这一峰值的出现,考虑到少子注入引入的扩散电容,正、反向扫描时电容峰值的差别可以得到解释
关键词:
LB聚酰亚胺膜
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