敬熠平
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念保峰
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王欣
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刘雪华
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邱宇
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周扬杰
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林玮
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唐电
贵金属
Ta掺杂的Ir-Ta-O是电化学工业中具有代表意义的电极材料。采用基于密度泛函理论(DFT)的投影缀加平面波中的广义梯度近似方法，对金红石型Ir8O16和Ta掺杂的Ir7Ta1O16复合氧化物的晶体和电子结构进行计算。结果表明，IrO2的结构数据与文献报导相吻合。掺 Ta的Ir7Ta1O16存在2种不同结构，二者晶体结构参数、系统总能和电子结构很接近。Ta掺杂可使Ir8O16晶胞体积增大，使体系相对稳定。掺Ta的(Ir,Ta)O2与IrO2类似，也体现金属的导电特性。Ta原子比Ir原子失电子能力强，掺杂后Ta原子周围的电子向O原子转移，为体系提供了更多的离子键。
关键词:
金属材料
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密度泛函理论
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(Ir,Ta)O2
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晶体结构
,
Bader布居
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电荷密度
王鑫
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王欣
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尹倩倩
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吴波
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林玮
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唐电
中国有色金属学报
采用基于密度泛函理论的投影缀加平面波方法和广义梯度近似计算了萤石相ZrO 2及掺杂Ru形成的复合氧化物的晶体结构、电子结构、内聚能以及Bader电荷。结果表明：萤石相ZrO 2和RuO 2的点阵参数与文献报道的数值基本相符。萤石相ZrO 2中掺入Ru后，体系的晶胞形状发生微小变形且晶胞体积减小；体系由直接带隙半导体转变为间接带隙半导体，带隙从3.06 eV减小至1.03 eV。对比Ru掺杂前后ZrO 2的内聚能、态密度和Bader电荷变化发现，Ru掺杂后体系的离子性增强，共价性减弱。
关键词:
(Ru0.125,Zr0.875)O2
,
第一性原理计算
,
内聚能
,
Bader电荷布居
刘雪华
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邓芬勇
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翁卫祥
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王欣
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林玮
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唐电
中国有色金属学报
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似，研究Ru掺杂SnO 2形成的Sn 0.875 Ru 0.125 O 2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构，比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明：Ru掺杂后SnO 2的晶胞体积缩小，复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化，导致材料的导电类型呈现近金属特性，揭示Ru掺杂后SnO 2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。
关键词:
Sn基氧化物
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Ru掺杂
,
第一性原理计算
,
电子结构
,
导电性能
