刘磁辉
,
林碧霞
,
王晓平
,
刘宏图
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.016
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究.结果发现:经几秒钟的RTA处理,Nd能在Si中被激活并形成深能级中心,测量到较宽的DLTS谱峰.Nd在n-Si中的深能级行为与Si衬底材料的浅能级杂质基本无关.在低于1285℃的RTA时,Nd形成的深能级中心均为施主型.深能级中心的位置随注入剂量和退火温度不同而有所变化;高温退火后,Nd在硅中有一个能级位置为Ec-(0.32±0.04)eV稳定的施主型深中心,对它的成因进行了讨论.
关键词:
Nd离子注入
,
n型Si
,
深能级
,
热退火
朱俊杰
,
林碧霞
,
孙贤开
,
郑海务
,
姚然
,
傅竹西
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.017
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认为,SiC/Si的异质外延,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散.但是,本文通过在不同流量比的条件下,SiC薄膜在Si基片以及Al2O3基片上外延的比较,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散.同时,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制.当SiH4流量增加时,反应速率会明显加快,但是结晶质量会相对变差.
关键词:
SiC 薄膜
,
Si(111)衬底
,
低压MOCVD
,
异质外延
,
扩散
苏剑峰
,
郑海务
,
林碧霞
,
朱俊杰
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.002
用LPMOCVD方法在P-Si(111)衬底上异质外延生长SiC,用碳化方法生长出具有单晶结构的3C-SiC薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8 min和2 sccm.
关键词:
无机非金属材料
,
LPMOCVD
,
3C-SiC
,
p-Si(111)衬底
段理
,
林碧霞
,
姚然
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.008
用MOCVD方法在p型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层.这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低.
关键词:
无机非金属材料
,
ZnO薄膜
,
SiC缓冲层
,
异质外延
,
结构特性
