张国芳
,
唐吉玉
,
陈俊芳
,
周福成
,
林邦惜
,
廖建军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.006
随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs( In-GaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究.四元化合物材料Ga1-xInxAs1-yNy通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev - 1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料.在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比.结果显示,该结构可以获得较高的转换效率.
关键词:
GaInAsN
,
太阳能电池
,
转换效率
