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多晶碳化硅的氧化技术研究

本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.007

采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.

关键词: 碳化硅 , 欧姆接触 , 离子注入 , 传输线法

硅基外延β-SiC薄膜在不同刻蚀气体中的等离子体刻蚀研究

柴常春 , 杨银堂 , 李跃进 , 贾护军

功能材料

用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样刻蚀工艺条件下,以SF6+O2作为刻蚀气体要比以CF4+O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率;在任何气体混合比条件下...

关键词: SiC薄膜 , 等离子体刻蚀(PE) , 刻蚀气体

表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

贾护军 , 杨银堂 , 柴常春 , 李跃进

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.018

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还...

关键词: 碳化硅薄膜 , 常压化学气相淀积 , 表面预处理 , 硅化 , 碳化

SiC功率器件与电路中的栅介质技术

贾护军 , 杨银堂 , 李跃进 , 柴常春

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.029

目前,宽带隙半导体材料SiC在功率MOS器件与电路方面的巨大优势一直没有很好地体现出来,这主要是受到SiC衬底上栅介质绝缘层的质量及界面特性方面的限制.本文在总结比较国际该领域研究现状的基础上,分析了碳元素的存在对介质层质量和界面态密度的影响,指出通过低温沉积氧化层以获得良好的界面质量,并通过高k介...

关键词: 碳化硅 , 功率器件 , 界面态 , 复合栅介质

铁电材料的核辐射效应

唐重林 , 柴常春 , 娄利飞 , 楼晓强

材料导报

大量研究结果和实验数据显示,铁电材料与器件具有极强的抗辐射能力,在军事和空间领域具有广阔的应用前景,因此铁电材料及其器件的抗辐射能力与机理研究日益受到关注.首先综述了国内外关于铁电材料的核辐射效应研究最新进展,在此基础上对其核辐射效应微观机理进行了分析和讨论,指出了铁电材料在抗辐射领域的发展趋势和研...

关键词: 铁电材料 , 核辐射 , 位移效应 , 电离效应