欧谷平
,
宋珍
,
桂文明
,
齐丙丽
,
王方聪
,
张福甲
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.010
利用AFM对CuPc/ITO样品表面进行扫描,发现其生长较均匀,基本上覆盖了ITO表面的缺陷,且针孔较少.通过样品表面和界面的XPS谱图分析,进一步证实了这一结果,同时发现,CuPc可以抑制ITO中的化学组分向空穴传输层的扩散.有利于器件的性能的改善和寿命的提高.
关键词:
缓冲层CuPc
,
原子力显微镜(AFM)
,
X射线光电子能谱(XPS)
