梁红伟
,
吕有明
,
申德振
,
颜建锋
,
刘益春
,
李炳辉
,
赵东旭
,
张吉英
,
范希武
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.008
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响.随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至 0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(PL)谱中显示了一个近带边的紫外光发射(UVE)和一个与深中心有关的可见光发射.随着生长温度升高,可见光发射逐渐变弱,薄膜的室温载流子浓度由1.06×1019/cm3减少到7.66×1016/cm3,表明在高温下生长的薄膜中锌氧化学计量比趋于平衡,高质量的ZnO薄膜被获得.通过测量变温光谱,证实所有样品在室温下PL谱中紫外发光都来自于自由激子发射;随着生长温度的变化UVE峰位蓝移与晶粒尺寸不同引起的量子限域效应相关.
关键词:
ZnO薄膜
,
等离子体增强分子束外延
,
光致发光
,
量子限域效应
,
X射线摇摆曲线
王新胜
,
杨天鹏
,
刘维峰
,
徐艺滨
,
梁红伟
,
常玉春
,
杜国同
材料导报
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.
关键词:
ZnO薄膜
,
p型掺杂
,
第一性原理
,
MOCVD
,
MBE
孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列. 通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测. 结果表明, 六棱柱形ZnO纳米棒沿 c 轴方向的阵列性良好, 且均匀致密的生长在衬底上. 室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列. 使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量, 研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响. 另外, 对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
hydrothermal
,
photoluminescence
,
X-ray absorption near-edgespectroscope
赵佳明
,
边继明
,
孙景昌
,
张东
,
梁红伟
,
骆英民
功能材料
采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺(PI)柔性衬底上生长氧化铟锡(ITO)薄膜,采用XP-2探针台阶仪、X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪、紫外-可见分光光度计等对ITO薄膜进行结构和光电性能表征.结果表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长ITO薄膜透明导电性能的主要因素,实验系统研究了溅射功率和沉积气压对ITO薄膜透明导电性能的影响机制.在优化的工艺条件下(溅射功率100W和沉积气压0.4Pa),制备了在可见光区平均透射率达86％、电阻率为3.1×10-4 Ω·cm的光电性能优良的ITO透明导电薄膜.
关键词:
磁控溅射
,
聚酰亚胺(PI)
,
柔性衬底
,
ITO透明导电膜
白彬
,
严东旭
,
梁红伟
,
张厚亮
,
陆雷
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.11.020
用离子束溅射沉积和高能离子束辅助沉积方法制备了具有择尤性的钛纳米薄膜,并采用原子力显微镜、X射线衍射仪和俄歇电子谱仪研究了试样表面预处理、离子束流和温度等离子束工艺参数对钛薄膜结构的影响.结果表明:离子束溅射沉积的钛膜在[002]和[102]晶向上呈现出明显的择尤生长现象,并分别在该两个晶向上表现出纳米晶型和非纳米晶型结构;当用高能离子束辅助沉积时,[102]晶向择尤生长现象消失,且钛膜的结构对束流变化较为敏感,束流较低时,钛膜为纳米结构且择尤生长现象减弱,而束流增加时晶粒长大,择尤生长现象又增强.另外钛膜容易受到氧的污染,并随辅助离子强度增加而增强.
关键词:
钛膜
,
离子束辅助沉积
,
纳米
边继明
,
刘维峰
,
胡礼中
,
梁红伟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00173
采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100) 衬底上生长ZnO同质p-n结. 以醋酸锌水溶液为前驱体, 分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源, 通过氮--铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜, 以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结. 采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn/Au和Au/Ge/Ni电极而获得发光二极管原型器件, 在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象.
关键词:
ZnO薄膜
,
p-n homojunction
,
electroluminescence
,
ultrasonic spray pyrolysis
边继明
,
刘维峰
,
胡礼中
,
梁红伟
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.036
采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结.以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结.采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀Zn/Au和Au/Ge/Ni电极而获得发光二极管原型器件,在室温下发现了该器件正向电流注入下的连续发光现象.
关键词:
ZnO薄膜
,
同质p-n结
,
电致发光
,
超声喷雾热分解
孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
水热法
,
光致发光谱
,
X射线吸收近带边谱
