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基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析

梅斌 , 徐刚毅 , 李爱珍 , 李华 , 李耀耀 , 魏林

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.007

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料.通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计.通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件...

关键词: 高分辨X射线衍射 , InGaAs , InAlAs , 错向角 , 摇摆曲线 , 倒空间mapping

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