丁磊
,
许剑
,
韩郑生
,
梅沁
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.010
利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小.
关键词:
多晶硅薄膜晶体管
,
KINK效应
,
Medici
,
Tsuprem4
