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沉积温度和退火处理对Ba0.5Sr0.5TiO3介电性能的影响

楼均辉 , 林明通 , 陈国荣 , 杨云霞 , 肖田 , 陈晨曦

材料导报

采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄...

关键词: Ba0.5Sr0.5TiO3 , 薄膜 , 介电性能 , 沉积温度 , 退火处理