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LCoS微显示驱动芯片表面形貌研究与改进

王文博 , 王晓慧 , 黄苒 , 欧毅 , 杜寰 , 夏洋 , 韩郑生 , 冯亚云 , 凌志华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021

介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.

关键词: LCOS , 微显示 , CMP , 镜面电极

用PECVD制备高抗腐蚀性能SiNx薄膜的工艺研究

刘瑞文 , 焦斌斌 , 欧毅 , 陈大鹏

功能材料

研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺.通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化.制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液(70℃、33.3% KOH溶液)中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜.

关键词: 等离子增强化学气相淀积(PECVD) , SiNx薄膜 , 湿法腐蚀

LCoS反射层的实验研究

欧毅 , 宋玉龙 , 刘明 , 凌志华

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.06.017

LCoS技术是硅基CMOS半导体集成电路技术和液晶显示技术相结合的新技术.铝膜作为LCoS的反射电极,要求有较高的反射率和电导率.采用电子束蒸发的方法,以高纯度的Al为靶材,硅片为衬底,制备了不同厚度的Al反射膜,并测量了在可见光范围内反射率曲线,分析了薄膜的致密性和电导率.实验结果表明,当Al层很薄时,膜的连续性较差,呈岛状或网状结构,膜的导电性不好;如果沉积较厚(1 μm以上)则容易形成"铝丘",即出现多晶态的A1分布,一方面使A1膜表面粗糙,降低其镜面反射率,同样也将严重影响Al膜的电学性能.选定50 nm厚度Al膜作为LCoS的反射层为最佳.

关键词: LCoS , 电子束蒸发 , 反射率 , 电导率

LCoS芯片p-n结光生电流理论分析

欧毅 , 李大勇 , 刘明

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.01.006

LCoS中像素有源驱动电路受到光照后会在p-n结上产生光生漏电流,而光生漏电流的产生会引起LCoS的图像对比度退化,直接影响其成像质量.从光学和半导体器件物理两方面出发,分析了光生漏电流的产生机理,指出了影响漏电流大小的主要因素是入射光功率和挡光层的厚度.以Al膜作为挡光层材料,实际测量了不同厚度Al膜在可见光范围内的反射率,并在测量数据的基础上分别计算了不同情况下的光生电流的大小.当Al膜厚度为50 nm时,光生电流最大仅为5.15×10-10A,可以抑制光生漏电流的产生,满足了LCoS的实际使用时的要求.

关键词: LCoS , p-n结 , 光生漏电流 , 挡光层

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