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检索条件:作者=武松
武松 , 闫金良 , 焦淑娟
材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.008
用第一性原理计算不同Nb掺杂浓度的n型Nb掺杂SrTiO3,研究了Nb掺杂浓度对SrTiO3的形成焓、电子结构和光学性能的影响.在Nb掺杂SrTiO3中Nb替位Ti原子,与实验结果一致.Nb掺杂SrTiO3的费米能级进入导带底部,Nb掺杂SrTiO3呈现n型半导体特征.从微观角度分析了Nb掺杂浓度对...
关键词: 半导体掺杂 , 电学性能 , 光学性能 , 电子结构