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钨中的电迁移现象

武蕴忠

金属学报

<正> 我所自制的Auger电子能谱仪的一次电子激发源是直热式电子枪发射的电子束。电子枪的热阴极是直径0.12mm,长15mm的发叉式钨丝,两端焊在1mm的Covar丝插座上。加热电流是直流2.0—2.5A。用光学高温计测量发叉尖端温度最高。仪器调试中发现灯丝使用寿命较短。图1(见图版45)是灯丝烧断后的形貌,断口出现在偏离发尖约0.7mm的一侧,另一侧有钨的堆积。断口和钨堆积区偏离发尖的距离不相等。图2

关键词:

金属薄膜的电迁移激活能

武蕴忠 , 孙承龙

金属学报

电迁移过程中试样内非平衡缺陷的积累使电阻增大,其电阻变化率为:d(ΔR/R_0)/dt=cmj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT)和d(ΔR/R_0/dt)=c_1mj~2ρ~(3/2)Z_i~*eD_0(2(T-T_e)+α(T-T_e)~2)~(1/2)/λ~(1/2)kT exp(-Q/kT) 用此二式可精确确定金属薄膜的电迁移激活能。用第一式确定的Al-3.2%Cu合金薄膜的电迁移激活能Q=0.65±0.04eV;用第二式处理Hummel的实验结果,则纯Al薄膜的Q值与原作者一致。

关键词:

铂薄膜中氧和碳的行为

武蕴忠 , 丁青 , 徐梅芳 , 王渭源

金属学报

用Auger电子能谱研究铂薄膜中氧和碳杂质的行为.结果表明,氧和碳受它们在铂膜中扩散过程限制.在1000℃上、下两个温区,氧具有不同的扩散激活能,分别等于0.98和0.44eV;550─1000℃温度范围内,氧向膜外扩散,使铂膜净化;1000─1200℃温度范围内,氧向膜内扩散,使铂膜氧化.在所研究的整个温度范围内,碳的扩散激活能等于0.52ev,其扩散行为和氧相同,且随着氧含量的增减而增减.

关键词: Auger电子能谱 , Pt film , oxygen , carbon , null

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