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多孔硅形成机理的逆结晶学模型

王海燕 , 卢景霄 , 郜晓勇 , 孙晓峰 , 段启亮

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.038

本文概述了多孔硅形成机理和现有模型.通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型.这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制.此模型的提出对研究晶体生长有用.

关键词: 自选择性 , 对称性 , 逆结晶学 , 缺陷控制 , 扩散控制