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用XRD和ACS测量研究Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ超导体的应力钉扎机制

崔利杰 , 段瑞飞 , 李阳 , 曹国辉 , 马庆珠 , 董成 , 赵忠贤 , 魏龙

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.02.001

利用X射线衍射(XRD)和交流磁化率(Acχ)方法系统地研究了Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.0~1.0)超导体,研究发现Eu掺杂替代了Y晶位后引起了晶格失配.这种晶格失配与电流密度有密切的联系.对于不同掺杂成分样品,X射线衍射线形分析表明(006)及(007)衍射峰型随掺杂量变化,掺杂浓度在30%和70%附近时,半高宽(FWHM)出现极大值,表明此时样品的晶格失配最大.与此相对应,电流密度Js也在此掺杂浓度范围内达到极大值.我们在晶格失配应力场的钉扎模型下对实验现象进行了讨论,认为Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ超导体中由元素替代引起的晶格失配应力场是有效的钉扎中心.

关键词:

自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究

胡强 , 魏同波 , 段瑞飞 , 羊建坤 , 霍自强 , 卢铁城 , 曾一平

稀有金属材料与工程

采用镀Ti插入层在氢化物外延设各中制各了高质量自支撑GaN厚膜.X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260 aresee:5K下样品带边发光峰的半高宽为3 meV,室温下样品的带边发光峰也只有20 meV,并且在室温的PL谱中观察不到黄光带;扫描电子显微镜观察显示,腐蚀后的自支撑GaN厚膜表面有位错延伸形成的六角坑,并估算出样品位错密度约为2.1×107cm-2.这些结果说明镀Ti插入层有助于提高GaN外延层的晶体质量.通过Raman和低温荧光分析,可以看出自支撑GaN厚膜表面应力已经完全释放.研究了不同温度下样品的荧光特性,证明得到的无应力自支撑GaN厚膜具有很好的晶体质量和光学质量.

关键词: 氮化镓 , 氢化物气相外延 , 自支撑厚膜 , 应力释放 , 荧光

MOCVD生长GaN力学性能研究

魏同波 , 王军喜 , 李晋闽 , 刘喆 , 段瑞飞

稀有金属材料与工程

采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等.结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1 MPa,弹性模量为299.5 GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿.

关键词: GaN , MOCVD , 形貌 , 机械性能

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