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未退火InGaZnO作为缓冲层的InGaZnO薄膜晶体管性能研究

苟昌华 , 武明珠 , 郭永林 , 杨永强 , 关晓亮 , 段羽 , 王红波

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153004.0602

铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)因具有场效应迁移率高,大面积均匀性好,无定型态等特点,被认为是显示器朝着大尺寸、柔性化方向发展的新型背板技术.源漏电极与有源层之间的接触氧化会增大器件的接触电阻,从而导致器件的性能降低.利用未退火IGZO具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特点,提出采用未退火IGZO作为源漏电极缓冲层,以减少源漏电极与有源层之间的接触氧化.研究发现插入4 nm未退火IGZO缓冲层时,相对于未采用缓冲层的器件,其饱和区场效应迁移率提高了11.6%,阈值电压降低了3.8V,器件性能有所提高.此外,该方法还可以在原位退火之后继续使用与有源层相同的材料溅射生长缓冲层,能够使得在采用矩形靶溅射方式的工业生产中,制备缓冲层工艺更加简单.

关键词: 薄膜晶体管 , InGaZnO , 接触电阻 , 缓冲层

基于DSA-ph的高效蓝色有机电致发光器件

姜文龙 , 赵雷 , 张刚 , 刘铁功 , 王艳玲 , 段羽

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112605.0616

以NPBX掺杂3%的DSA-ph作为发光层,BCP或TAZ作为空穴阻挡层,Alq3或Bphen作为电子传输层制作了一组蓝色有机电致发光器件.通过调整不同的空穴阻挡层与电子传输层之间的组合,得到了一组高效的蓝光OLED.测试结果表明,当空穴阻挡层为TAZ,电子传输层为Bphen时,器件的性能最优.当驱动电压为5V时,器件最大电流效率为4.59 cd/A.在12 V时亮度最大,为6 087 cd/m2.

关键词: 蓝色有机电致发光器件 , 电子传输 , 空穴阻挡 , 效率

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