倪友保
,
吴海信
,
耿磊
,
王振友
,
毛明生
,
程干超
,
黄飞
人工晶体学报
利用本实验室生长的红外非线性晶体材料AgGaGeS_4(AGGS),常温下进行腐蚀实验并观察畴结构,测试了不同频率、电压下晶体的电滞回线以及同一电压下不同频率介质的电容值.腐蚀图像显示出畴结构,畴尺寸5～10 μm左右,证实AGGS为一热释电晶体.然而,室温下的电滞回线变形为一近似椭圆,介质电容与电场频率关系表现出强色散特性.本文对这一现象进行了系统分析,最后提出了进一步探索AGGS铁电性质的具体建议.
关键词:
AGGS晶体
,
介电性能
,
畴结构
吴海信
,
张维
,
陶德节
,
程干超
,
杨琳
,
魏合理
,
毛明生
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.04.009
在一台小型连续波(CW)CO2激光器上用光栅调谐获得了从9.23～10.65 μm范围内20条谱线输出,用一片8 mm×8 mm×15 mm红外非线性光学晶体AgGaSe2实现了上述谱线的二倍频输出.实验测得10P(20)谱线的倍频光输出为2.1 μW,相位匹配接收外角△θ外·L=2.1°·cm.
关键词:
非线性光学
,
连续波(CW)CO2激光
,
AgGaSe2晶体
,
倍频
吴海信
,
石奇
,
张维
,
毛明生
,
程干超
,
杨琳
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.019
本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算.基于纯AgGaSe2和AgInSe2的Sellmeier方程,用线性内插方法计算了不同In含量的AgGa1-xInxSe2在0.9～19μm的Sellmeier色散系数并建立了Sellmeier方程.计算和描绘了Ⅰ型相位匹配CO2激光二次谐波产生的调谐曲线,并标出我们的倍频实验数据.在近似非临界相位匹配条件下,进行了TEA CO2激光10.6μm在AgGa1-xInxSe2中的倍频实验研究,并与AgGaSe2进行了比较,测量的1#AgGa1-xInxSe2相位匹配角θ及相位匹配接收外角△θext·L分别为88.2°和7.7°·cm,AgGa1-xInxSe2的倍频效率比AgGaSe2高出近3倍.
关键词:
非线性晶体
,
倍频
,
TEA CO2激光
,
AgGa1-xInSe2
,
非临界相位匹配(NCPM)
王振友
,
吴海信
,
倪友保
,
毛明生
,
黄飞
,
陈林
人工晶体学报
采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5～9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7～7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.
关键词:
AgGaGeS_4晶体
,
布里奇曼法
,
倍频
,
损伤阈值
吴海信
,
张维
,
石奇
,
毛明生
,
程干超
,
杨琳
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.006
AgGa1-xInxSe2是近几年来研制的新型红外非线性光学晶体材料,其主要特点是借着Ga和In含量,即x值的变化,改变材料的折射率、双折射,实现三波共线非线性作用的非临界(90°)相位匹配.我们用垂直布里奇曼法生长单晶,获得了φ35mm×50mm的AgGa1-xInxSe2单晶棒.对生长出晶体棒In的浓度分布进行了测试.晶体元件用红外观察镜和分光光度计分别进行了观察和测试,晶体透光率良好.用一台TEA CO2激光泵浦一块5×6×16mm3的AgGa1-xInxSe2(x=0.3234)晶体元件,成功地实现了10.6μm非临界相位匹配倍频,输出5.3μm的中红外激光.
关键词:
硒铟镓银晶体
,
非线性光学晶体
,
布里奇曼法
,
倍频
吴海信
,
王振友
,
倪友保
,
耿磊
,
毛明生
,
黄飞
人工晶体学报
本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.
关键词:
AgGaGeS4
,
多晶合成
,
二温区
,
气相输运
吴海信
,
陈林
,
王振友
,
黄飞
,
倪友保
,
毛明生
功能材料
采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒.对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m·K).
关键词:
磷锗锌
,
水平温梯冷凝法
,
X射线粉末衍射
,
红外透过率
,
热导率
