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检索条件：作者=毛智彪
黄君 , 毛智彪 , 景旭斌 , 曹坚 , 甘志峰 , 李芳 , 崇二敏 , 孟祥国 , 李全波
功能材料与器件学报
相对来讲,i线(i-line)抗酸性要大大强于KrF而不容易产生类似的缺陷,但器件尺寸微缩进入45/40nm技术节点以后,由于受到分辨率(Resolution)和焦深(Depth of Focus)的限制,双栅极(Dual Gate)蚀刻所用光刻胶由之前通用的i-line(波长365nm)改成KrF...
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