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1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长

澜清 , 周大勇 , 孔云川 , 边历峰 , 苗振华 , 江德生 , 牛智川 , 封松林

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.009

通过引入较长停顿时间,采用分子束外延循环生长方法在350℃低温获得了一种横向聚合的InAs自组织量子点,在荧光光谱中观察到1.55μm波长的发光峰. 通过AFM和PL谱的联合研究,表明此低温循环生长方法有利于在长波长发光的量子点的形成.

关键词: InAs自组织量子点 , 循环生长 , 分子束外延 , 1.55μm波长

弱耦合超晶格中的高频自维持振荡

江德生 , 孙宝权

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.021

研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格在直流偏压作用下的电场畴及自维持振荡,分析了通过加光照,变温、加横向磁场等方法使稳定场畴向动态场畴转换并产生自维持振荡的机制,指出有效漂移速度V(B,F)曲线线形对纵向输运行为的重要影响.在GaAs/AlAs窄势垒超晶格中得到了室温下千兆赫微波振荡.

关键词: 超晶格 , 电场畴 , 隧穿 , 高频振荡

快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

边历峰 , 江德生 , 陆书龙

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.037

分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温度依赖关系.并对材料进行了退火处理,结果发现退火有效地改善材料的发光特性,并且会造成S-型的转变温度降低,从而说明退火可以有效地减少局域态.

关键词: MBE , GaInNAs , 光致荧光谱(PL) , S-型温度依赖关系

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