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磁控溅射AuNi5的热处理

余前春 , 张晓辉 , 范金铎 , 何毅 , 刘凤龙 , 江轩

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.01.033

采用磁控溅射方法制备了AuNi5/Ni两层复合材料中的AuNi5膜层, 并对样品进行退火处理. 应用金相显微分析、划痕法和SEM, 研究了AuNi5膜层的结构及性能特点. 经退火后, 分析了AuNi5膜层与Ni基体层间的元素互扩散、结合强度及应力与热处理工艺的关系. Ni层的处理和表面状态对AuNi5膜层和Ni金属层间的结合强度有重要的影响.

关键词: 磁控溅射 , 热处理 , 结合强度 , 互扩散

集成电路制造用溅射靶材

尚再艳 , 江轩 , 李勇军 , 杨永刚

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.04.022

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业. 在不同产业中, 半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高. 对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述, 并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响, 以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法.

关键词: 集成电路 , 溅射 , 靶材 , 半导体

热处理对Al-Cu合金电导率的影响

罗俊锋 , 王欣平 , 万小勇 , 何金江 , 朱晓光 , 江轩

材料导报

通过电导率测量、硬度分析和金相组织观察,研究了不同热处理工艺对Al-4.0%Cu(质量分数,下同)合金电导率的影响,分析了析出相、合金硬度和电导率之间的关系.实验结果表明,Al-4.0%Cu合金的电导率主要受基体中Cu固溶度和析出相状态的影响;双级时效处理对电导率和硬度的决定因素主要为二级时效的温度与时间,一级时效后合金的电导率和硬度会随着二级时效发生改变;退火后的Al-4.0%Cu合金于350℃保温24h后,可获得较高的电导率,此时基体中的析出相为细小、弥散的θ相.

关键词: Al-Cu合金 , 溅射靶材 , 热处理 , 显微组织 , 电导率

铝铜合金靶材的微观结构对溅射沉积性能的影响

李洪宾 , 江轩 , 王欣平

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.03.030

磁控溅射中高沉积速率有利于获得高纯度薄膜,节省镀膜时间;高沉积效率的靶材可制备出更多数月的晶圆.通过建立平面靶的溅射模型研究了Al-Cu合金靶的品粒取向和品粒尺寸对溅射速率、沉积速率和沉积效率的影响.实验结果显示,溅射速率与靶材的原子密排度成正比关系,靶材的原子密排度受品粒取向和晶粒尺寸的影响,有特定的变化范围,因此溅射速率也只在一个范围内变化.沉积速率和沉积效率受靶材表面窄间内原子密排方向分布的影响,原子密排方向分布则由靶材的晶粒取向和晶粒尺寸决定.

关键词: 铝铜合金靶材 , 微观结构 , 沉积速率 , 沉积效率

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