江锡顺
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曹春斌
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蔡琪
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宋学萍
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孙兆奇
功能材料
采用射频磁控溅射法分别在不同温度衬底上制备了厚度为320nm的ZnS薄膜,用XRD和光学相移技术研究了不同衬底温度下薄膜的微结构和应力.结果表明:不同温度衬底上沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,衬底温度由50℃上升到400℃的过程中,其择优取向发生了变化,晶粒有明显的生长方向;ZnS薄膜应力随着衬底温度升高逐渐减小,衬底温度在250～350℃之间的ZnS薄膜应力较小且在选区内分布比较均匀.
关键词:
ZnS薄膜
,
衬底温度
,
微结构
,
应力
江锡顺
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万东升
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宋学萍
,
孙兆奇
人工晶体学报
用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1h.采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析.分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体.退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率.退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3 Ω-1.
关键词:
ITO薄膜
,
磁控溅射
,
光电特性
江锡顺
,
曹春斌
,
宋学萍
,
孙兆奇
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.008
采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO).制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1 h.对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析.结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω·cm.
关键词:
ITO薄膜
,
磁控溅射
,
氧化程度
,
光电特性
张阳熠
,
江锡顺
,
董可秀
,
林其斌
,
葛秀涛
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20160505
采用水热合成法,以油酸作乳化剂成功制备了Yb3+-Tb3+共掺杂β-NaYF4纳米晶.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱仪对所制备的样品进行表征.在980 nm红外半导体激光器的激发下,不仅观察到Yb3+/Tb3+共掺杂NaYF4纳米晶对应于Tb3+离子5D3→7FI(I=6,5和4)和5 D4→7FI(I=6,5,4和3)能级跃迁从红色到紫外的上转换荧光,同时还观察到了杂质离子Er3+的发光.实验发现随着Yb3+浓度的相对减小和Er3+浓度的相对增大,489 nm对应于Tb3+离子5D4→7F6能级跃迁的上转换蓝光得到增强.在Yb3-Tb3-Er3+系统中,简要地讨论了从Yb3+到Er3+再到Tb3+的能量传递过程.
关键词:
上转换
,
纳米晶
,
NaYF4
,
稀土
吴卫明
,
邓景泉
,
江锡顺
兵器材料科学与工程
以SiO2颗粒和Zn(CH3COO)2为原料,采用水热法在不锈钢反应釜中低温制备了Mn2+掺杂的Zn2SiO4荧光材料.利用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计对影响产物结构及发光性能的反应温度、反应时间、NH4OH质量分数等参数进行研究.结果表明:六棱柱状的ZnSiO4纳米颗粒可以在220℃的低温水热条件下获得,以该法制备的Mn2+掺杂ZnSiO4具有良好的光致发光性能,在220 nm紫外光激发下产生525 nm的绿色发光,并且发光强度随水热反应温度、时间以及NH4OH浓度改变而改变.
关键词:
水热法
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锰掺杂硅酸锌
,
六棱柱晶体
,
光致发光
