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Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7 W) 660 nm AlGaInP宽面半导体激光器

马德营 , 李佩旭 , 夏伟 , 李树强 , 汤庆敏 , 张新 , 任忠祥 , 徐现刚

人工晶体学报

本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000 μm、条宽150 μm的宽面半导体激光器.采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD...

关键词: 窗口结构 , Zn扩散 , 热阻 , AlGaInP , 半导体激光器