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S钝化GaAs(100)表面的电子特性

马丽 , 危书义 , 汪建广

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.z1.031

用TB-LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs (100) 表面的化学吸附, 对GaAs(100)表面是Ga-和As-中断两种情况分别进行考虑. 计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(100)表面的层投影态密度, 以及电子转移情况. 结果表明, 两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定, S-Ga相互作用比S-As稍强, S钝化GaAs(100)表面可以取得明显的钝化效果.

关键词: 化学吸附 , 钝化 , 超级原胞 , 相互作用

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