褚夫同
,
李川
,
汪振中
,
刘兴钊
稀有金属材料与工程
采用中频反应磁控溅射方法,在钼/聚酰亚胺/硅(Mo/PI/Si)基片上室温下制备出c轴取向柱状结晶氮化铝(AlN)薄膜,X射线衍射摇摆曲线和拉曼谱E2(高)峰半高宽分别是2.2°和18.6 cm-1.制作了基于Mo/AlN/Mo/PI/Si结构的薄膜体声波谐振器(FBARs),PI/Mo异质结用作声绝缘层.用矢量网络分析仪分析了FBARs的谐振特性,器件等效耦合系数达到5.4％.
关键词:
AlN
,
薄膜
,
聚酰亚胺
,
FBARs
汪振中
,
褚夫同
,
刘兴钊
功能材料
通过中频磁控反应溅射,在Si(100)衬底上沉积AlN薄膜,并用X射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱表征AlN薄膜的微观特征.实验中,研究了氮分压、靶基距、溅射功率对AlN薄膜质量的影响,并优化参数制备高质量的c轴取向的AlN薄膜.结果表明,提高溅射功率、降低靶基距以及降低氮分压,有利于c轴择优取向AlN的生长.在优化条件下制备的AlN薄膜具有高度c轴取向,(002)摇摆曲线的半高宽为5.7°,Raman光谱E2(high)声子峰的FWHM为13.8cm-1.
关键词:
AlN
,
中频反应溅射
,
Raman光谱
