汪美玲
,
徐家跃
,
张彦
,
储耀卿
,
杨波波
,
申慧
,
田甜
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160221
采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol％、0.2mol％、0.3mol％、2mol％、3mo1％和4mol％的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol％以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol％)...
关键词:
硅酸铋
,
晶体生长
,
Dy3+掺杂
,
热释光
,
光产额
