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磁控溅射碳化硅薄膜生长的热力学讨论

史兴建 , 姚合宝 , 贺庆丽 , 王文秀 , 汪颖梅 , 何大韧

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.013

提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－C3N4,P－C3N4 或－(C2N2)n－的最可能表面反应,然后通过求解这个热力学模型计算了生长参量空间中不同类型 薄膜淀积区域的分界线。这些结果与一些实验结果很好地符合。

关键词: β－C3N4 , 磁控溅射 , 热力学模型