唐世红
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
高德友
,
陈俊
,
张冬敏
,
何知宇
,
方军
,
洪果
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.023
用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退...
关键词:
碲锌镉
,
正电子湮没技术
,
寿命
,
退火
