郭天雷
,
赵发展
,
刘刚
,
海潮和
,
韩郑生
,
袁国顺
,
李素杰
,
姜明哲
,
张英武
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.011
对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求.
关键词:
部分耗尽SOI
,
微控制器
,
总剂量
,
辐照加固
赵洪辰
,
海潮和
,
韩郑生
,
钱鹤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.016
在商用 SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照 H型栅 NMOSFETs,使用的主要技术手段有: 氮化 H2- O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用 H型栅结构,消除边 缘寄生晶体管.结果表明,在经受 1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.
关键词:
SOI
,
总剂量辐照
,
氮化H2-O2合成栅介质
,
H型栅
蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
,
刘刚
,
夏洋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.015
为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.
关键词:
VDMOS
,
辐照
,
氧化物陷阱电荷
,
界面态电荷
刘新宇
,
孙海峰
,
刘洪民
,
韩郑生
,
海潮和
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.015
对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小:12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm.
关键词:
ATD电路
,
DWL技术
,
抗辐照工艺
蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.019
由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.
关键词:
VDMOS
,
超结
,
击穿电压
,
导通电阻
