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晶体(ZnKPO4.6H2O)∶VO2+的自旋哈密顿参数及局域结构

涂超 , 谢林华 , 杜香容

人工晶体学报

基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d1离子在D4h对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量.本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制.计算结果与实验数据是一致的.说明电荷转移机制...

关键词: 自旋哈密顿参量 , 晶体场理论 , 电荷转移机制 , (ZnKPO4·6H2O)∶ VO2+