王评初
,
孙士文
,
潘晓明
,
朱丽慧
,
李东林
,
温保松
,
黄清伟
,
殷之文
无机材料学报
用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.30PbTiO3高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35％,准静态压电常数d33约为1500-1600pC/N,耦合系数kt～0.51,k33～0.82,22kV/cm时的场致应变约为0.23％.
关键词:
定向陶瓷
,
Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3
,
dielectric
王评初
,
孙士文
,
潘晓明
,
朱丽慧
,
李东林
,
温保松
,
黄清伟
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.038
用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.30PbTiO3高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35%, 准静态压电常数d33约为1500～1600 pC/N, 耦合系数kt～0.51, k33～0.82, 22kV/cm时的场致应变约为0.23%.
关键词:
定向陶瓷
,
PMN-PT
,
介电和压电性能
温保松
,
严鸿萍
,
马佳华
无机材料学报
研究了扩散相变中心温度分别为４０℃和６５℃的两种Ｌａ－掺杂ＰＭＮ基陶瓷在其扩散相变温度范围的电致应变、电致应变随电场（Ｓ～Ｅ）的滞后特性和剩余应变效应．结果发现，对于扩散相变中心温度为４０℃的材料在０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动下；从－１０～６０℃电致应变和滞后都随温度的升高而减小；对另一种材料无论由±１ｋＶ／ｍｍ交变电场或由０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动，温度从１３～４１℃变化均出现电致应变峰值，而滞后和剩余应变随温度的升高而减小．对以上实验结果本文作了详细讨论．
关键词:
PMN基陶瓷
,
electrostriction
,
diffuse phase transition
温保松
,
严鸿萍
,
马佳华
无机材料学报
研究了不同温度MgNb2O6的原始合成反应，结果显示游离MgO的含量随MgNb2O6合成温度的升高而减少．首先合成MgNb2O6，但合成时并不加入过量MgO，合成温度为1050℃，由此制备了一种PMN基电致伸缩陶瓷．在X射线衍射检测极限内，并未发现此PMN基电致伸缩陶瓷存在焦绿石第二相．对该陶瓷施加1kV／mm频率为0．07Hz的准静态电场，在室温下其纵向电致应变（S11）达1．05×10－3而滞后仅为6．8％．还研究了MgNb2O6的合成温度与PMN基陶瓷电致伸缩性能的关系，它表明PMN基陶瓷的居里温度Tc随MgNb2O6的合成温度的提高而增高，从而引起介电常数的下降和滞后增大．
关键词:
铌酸镁
,
null
,
null
,
null
,
null
温保松
,
严鸿萍
,
马佳华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.018
研究了不同温度MgNb2O6的原始合成反应,结果显示游离MgO的含量随MgNb2O6合成温度的升高而减少. 首先合成MgNb2O6,但合成时并不加入过量MgO,合成温度为1050℃,由此制备了一种PMN基电致伸缩陶瓷. 在X射线衍射检测极限内, 并未发现此PMN基电致伸缩陶瓷存在焦绿石第二相. 对该陶瓷施加1kV/mm频率为0.07Hz的准静态电场, 在室温下其纵向电致应变(S11)达1.05×10-3而滞后仅为6.8%. 还研究了MgNb2O6的合成温度与PMN基陶瓷电致伸缩性能的关系,它表明PMN基陶瓷的居里温度Tc随MgNb2O6的合成温度的提高而增高,从而引起介电常数的下降和滞后增大.
关键词:
铌酸镁
,
合成温度
,
过量氧化镁
,
焦绿石相
,
电致伸缩
温保松
,
严鸿萍
,
马佳华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.012
研究了扩散相变中心温度分别为40℃和65℃的两种La-掺杂PMN基陶瓷在其扩散相变温度范围的电致应变、电致应变随电场(S～E)的滞后特性和剩余应变效应．结果发现，对于扩散相变中心温度为40℃的材料在0～1kV／mm单向电场驱动下，从-10～60℃电致应变和滞后都随温度的升高而减小；对另一种材料无论由± 1kV／mm交变电场或由 0～ 1kV／mm单向电场驱动，温度从13～41℃变化均出现电致应变峰值，而滞后和剩余应变随温度的升高而减小．对以上实验结果本文作了详细讨论．
关键词:
PMN基陶瓷
,
电致伸缩
,
扩散相变
