李锐
,
丰景义
,
温刚
,
乔云霞
,
徐凯
,
崔青
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0581
线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究.本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验.组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2 O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生.V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5％时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10％时,线残像严重.这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义.
关键词:
TFT-LCD
,
线残像
,
直流电压
,
V-T漂移
高红茹
,
温刚
,
熊会茹
,
崔青
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0553
采用紫外光聚合分离法使混合体系(可光聚合单体/液晶/光引发剂)产生相分离,制备了以双官能团丙烯酸酯为基体的反型聚合物网络液晶膜材料.采用液晶光电测试仪测试了光引发剂1-羟基环己基苯甲酮(IRG184)浓度和不同种类液晶盒如平行盒和反平行盒对反型PNLC液晶膜的电光性能的影响.研究结果表明,当光引发剂IRG184浓度为0.2％时,采用双官能团丙烯单体材料作为可光聚合单体,选择光学各向异性和介电各向异性适当的向列相液晶D5,混合搅拌均匀以后灌注于盒厚7μm的反平行排列液晶盒中,在光强为18 mW/cm2、波长主要为365 nm的紫外光下,温度控制在25～30℃使其聚合,所得反型PNLC膜的电光特性曲线最佳,如阈值电压、工作电压等特性最好,并对研究结果进行了相关的讨论.
关键词:
反型PNLC
,
光引发剂IRG184
,
电光特性
,
反平行排列
