赵晓锋
,
温殿忠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.015
基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性,该异质结为突变结.采用HP4145B型半导体参数测试仪分析n-ZnO/p-si异质结,I-V特性,结果给出,n-ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,电流随外加偏压按指数函数增加,反向电流不饱和,采用突变异质结的正反向势垒能带结构对其,I-V特性进行分析.
关键词:
MEMS
,
异质结
,
磁控溅射
,
ZnO薄膜
赵晓锋
,
温殿忠
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.050
基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜.采用X射线衍射仪(XRD) 和场发射扫描电子显微镜(SEM) 对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向.对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强.结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大.
关键词:
PECVD
,
多晶硅薄膜
,
晶粒
,
退火
赵晓锋
,
温殿忠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.031
采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF-PECVD)以高纯SiH4为气源在P型<100>晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13.56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜.采用x射线衍射仪(XRD)、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微结构及表面形貌,实验结果表明,退火温度为800℃时非晶硅薄膜晶化,形成择优取向为<111>晶向的多晶硅薄膜;退火温度增加,Raman谱TO模和TA模强度逐渐减弱;AFM给出800℃退火后薄膜晶粒明显细化,形成由20～40nm大小晶粒组成的多晶硅薄膜,薄膜晶粒起伏程度明显减弱.
关键词:
PECVD
,
纳米晶粒
,
非晶硅
,
多晶硅
,
高温退火
赵晓锋
,
温殿忠
,
王天琦
,
丁玉洁
功能材料
以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度、退火温度对薄膜结晶取向、表面形貌等结构特性影响.结果表明,随薄膜厚度增加,薄膜取向显著且多晶特征明显,沉积薄膜多晶取向为〈111〉、〈220〉和〈311〉晶向,择优取向为〈111〉晶向,TO模强度减弱且加宽,晶粒大小增加;同一薄膜厚度,随真空退火温度升高,X射线衍射峰强度增强,TO模强度增强.
关键词:
纳米多晶硅薄膜
,
结构特性
,
LPCVD
,
退火
艾春鹏
,
赵晓锋
,
白忆楠
,
冯清茂
,
温殿忠
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).015
研究射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO 薄膜阻变特性.实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为?002?晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长速率可达4．8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO 薄膜具有阻变特性且开关比可达104.
关键词:
ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
微结构
,
阻变特性
温殿忠
,
温泉
,
陈国智
工程热物理学报
本文概要介绍了株洲航空动力机械研究所在90年代中期引进每秒10亿次运算速度的计算机后，建立了以二维叶片造型和三维粘性数值计算为核心的小发压气机CFD设计系统。用新建立的CFD设计系统进行了单级和双级压气机设计并进行了试验验证。试验结果证明，使用该系统能够完成高性能小型轴流压气机设计。
关键词:
小发轴流压气机
,
CFD
,
设计系统
