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检索条件:作者=温殿忠  

  • 论文(6)

基于MEMS制作n-ZnO/p-Si异质结及特性

赵晓锋 , 温殿忠

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.015

基于MEMS技术在P型<100>晶向双面抛光单晶硅片上制作c型硅杯,在C型硅杯上表面扩散P+,采用磁控溅射法在扩散区上制备择优取向为<0002>晶向的n-ZnO薄膜,形成n-ZnO/P-Si异质结.采用HP4280A型C-V特性测试仪分析n-ZnO/p-Si异质结的C-V特性...

关键词: MEMS , 异质结 , 磁控溅射 , ZnO薄膜

基于PECVD制备多晶硅薄膜研究

赵晓锋 , 温殿忠

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.050

基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜.采用X射线衍射仪(XRD) 和场发射扫描电子显微镜(SEM) 对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220&g...

关键词: PECVD , 多晶硅薄膜 , 晶粒 , 退火

PECVD法制备纳米晶粒多晶硅薄膜

赵晓锋 , 温殿忠

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.031

采用射频等离子体增强化学气相沉积系统(RF-PECVD)以高纯SiH4为气源在P型<100>晶向单晶硅片上、衬底温度600℃、射频(13.56MHz)电源功率50W时沉积非晶硅薄膜,利用高温真空退火制作纳米晶粒多晶硅薄膜.采用x射线衍射仪(XRD)、Raman光谱、AFM测量和分析薄膜微...

关键词: PECVD , 纳米晶粒 , 非晶硅 , 多晶硅 , 高温退火

薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响

赵晓锋 , 温殿忠 , 王天琦 , 丁玉洁

功能材料

以高纯SiH4为气源,采用低压化学气相沉积方法在p型〈100〉晶向单晶硅上620℃制备纳米多晶硅薄膜,对不同薄膜厚度纳米多晶硅薄膜分别在700、800、900℃进行高温真空退火,通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱(Raman)、场发射扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究薄膜厚度...

关键词: 纳米多晶硅薄膜 , 结构特性 , LPCVD , 退火

基于射频磁控溅射法制备ZnO薄膜研究?

艾春鹏 , 赵晓锋 , 白忆楠 , 冯清茂 , 温殿忠

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅱ).015

研究射频磁控溅射法制备ZnO 薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)研究溅射功率、溅射时间和退火温度对薄膜微结构特性的影响,并分析ZnO 薄膜阻变特性.实验结果表明,沉积态薄膜择优取向为?002?晶向,随溅射功率和退火温度增加,择优取向显著增强,溅射功率120 W时薄膜生长...

关键词: ZnO薄膜 , 射频磁控溅射 , 微结构 , 阻变特性

小型航空压气机CFD设计系统

温殿忠 , 温泉 , 陈国智

工程热物理学报

本文概要介绍了株洲航空动力机械研究所在90年代中期引进每秒10亿次运算速度的计算机后,建立了以二维叶片造型和三维粘性数值计算为核心的小发压气机CFD设计系统。用新建立的CFD设计系统进行了单级和双级压气机设计并进行了试验验证。试验结果证明,使用该系统能够完成高性能小型轴流压气机设计。

关键词: 小发轴流压气机 , CFD , 设计系统