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  • 论文(18)

直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究

游志恒 , 满卫东 , 吕继磊 , 阳硕 , 何莲 , 徐群峰 , 白华 , 江南

人工晶体学报

采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~ 40 nm的纳米金刚石薄膜.采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响.研究结果表明:金刚石薄膜的晶粒尺寸随着CH4浓度的增加而减小,但...

关键词: 直流辉光放电 , 化学气相沉积 , 纳米金刚石 , 摩擦系数

硬质合金基体上钛过渡层碳化条件对金刚石薄膜附着力的影响

王传新 , 汪建华 , 满卫东 , 马志斌 , 王升高 , 傅朝坤 , 李克林 , 康志成

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.037

以WC-6%Co为基体,采用磁控溅射法,在酸蚀后进行氢等离子体脱碳试样上制备Ti过渡层,然后碳化过渡层为TiC.在电子辅助热丝化学气相沉积装置中制备金刚石薄膜.研究碳化条件对金刚石薄膜与基体附着力的影响.结果表明,在700℃左右的低温碳化,TiC结构致密,而在850℃左右的高温碳化,TiC呈疏松的多...

关键词: 硬质合金 , HFCVD , 金刚石薄膜 , Ti过渡层

金刚石薄膜生长速度研究

王传新 , 汪建华 , 满卫东 , 马志斌 , 王升高 , 傅朝坤 , 李克林 , 康志成

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.007

在电子辅助热丝CVD中,研究刀具预处理对金刚石薄膜生长速度的影响.在保持生长条件不变的前提下,经酸腐蚀处理的刀具的侧、背面镀铜能使金刚石薄膜的生长速度从没有镀铜时的4μm/h增加到镀铜后的10.6μm/h.镀铜处理提高了刀具的电导率,使得热丝发射的电子在偏压电场的作用下,在刀具表面附近聚集,加速氢气...

关键词: 金刚石薄膜 , 生长速度 , 镀铜 , 硬质合金

采用正交法研究金刚石偏压形核

王传新 , 汪建华 , 满卫东 , 王升高 , 马志斌 , 康志成 , 吴素娟

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2003.02.003

在微波等离子体化学气相沉积装置中,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si(100)面上的偏压形核过程中,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响,研究结果表明:形核密度随形核时间的增加而增加,适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核,而甲烷浓度的影响很小.正交试验所得的最佳形核条件为偏...

关键词: 化学气相沉积 , 正交试验 , 金刚石 , 形核

低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究

王传新 , 汪建华 , 马志斌 , 满卫东 , 王升高 , 康志成 , 吴素娟

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.05.001

在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响.实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露.在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于(111)面显露;而高的气压...

关键词: 化学气相沉积 , 低偏压生长 , 金刚石薄膜 , 图像

MPCVD法合成大单晶金刚石的研究进展

林晓棋 , 满卫东 , 张玮 , 吕继磊 , 江南

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.10.009

单晶金刚石具有诸多多晶金刚石所无法替代的优良性能,是新世纪高端技术领域发展所需的重要材料.随着技术的不断改进,MPCVD法合成单晶金刚石的生长速率、质量和尺寸都有了很大的提高.目前,应用最新的MPCVD技术合成的单晶金刚石,其最高生长速率达到200 μm/h,合成尺寸达到英寸级,为单晶金刚石在超精密...

关键词: MPCVD , 金刚石 , 单晶 , lift-off , 马赛克

Ar对微波等离子体CVD单晶金刚石生长的影响

林晓棋 , 满卫东 , 吕继磊 , 张玮 , 江南

人工晶体学报

采用自主研发的5 kW不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响.通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行分析.结果表明,适量Ar的存在能够显著提高单晶金刚石...

关键词: MPCVD , 单晶金刚石 , Ar

一种提高MPCVD法制备金刚石膜均匀性的方法

涂昕 , 满卫东 , 游志恒 , 阳朔

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2014.02.004

采用自制的1 kW石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积装置,以氢气和甲烷作为气源在镜面抛光的(100)面单晶硅片上沉积了金刚石薄膜.实验共制得两个样品,其中一个样品在制备的过程中加装了难熔的金属钽环,利用等离子体易吸附于金属钽环表面的特性,缩小了硅片中间与边缘等离子体密度差异,另外一个样品没有加装难熔...

关键词: 微波等离子体化学气相沉积 , 金刚石膜 , 均匀性 , 方法

MPCVD法在基片边缘生长大颗粒金刚石的研究

满卫东 , 翁俊 , 吴宇琼 , 吕继磊 , 董维 , 汪建华

人工晶体学报

本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出品粒尺寸达500 μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石.在实验中,利用SEM和Raman光谱对基片边缘区域和中央区域所沉积的金刚石颗粒进行了表征....

关键词: MPCVD , 边缘效应 , 大颗粒金刚石

衬底位置对制备(100)面金刚石薄膜的影响

张玮 , 满卫东 , 林晓棋 , 游志恒 , 吕继磊 , 江南

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.12.007

本文利用5 kW微波等离子体装置,在直径22 mm的石英上沉积金刚石薄膜.实验研究了衬底在不同位置对沉积金刚石薄膜的质量产生的影响.实验中将2块石英衬底编号为A和B,样品A被放在偏离钼基片台中心5 mm的位置,使石英的中间区域偏离等离子体球,而边缘区域处于等离子体球的下方.通过SEM和拉曼光谱表征所...

关键词: 微波等离子体 , 衬底位置 , 沉积 , 薄膜

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