郭进进
,
刘爱华
,
满宝元
,
刘枚
,
姜守振
,
侯娟
,
孔德敏
材料导报
采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底上异质外延β-Ga2O3薄膜.研究了氧分压对薄膜表面结构和结晶程度的影响,结果表明β-Ga2O3薄膜的均方根粗糙度和X射线衍射谱峰的半高宽随着氧分压的减小呈现先减小后增大的趋势.并对氧分压为10-2Pa条件下的薄膜进行了光致发光谱、紫外透射谱、禁带宽度变化和拉曼谱的研究,结果显示β-Ga2O3薄膜的带隙随氧分压的减小而不断增大,β-Ga2O3薄膜具有蓝光发光和深紫外高透射特性,是用于光电器件特别是紫外特性氧敏传感器的最佳材料之一.
关键词:
β-Ga2O3薄膜
,
氧分压
,
紫外透射
,
光致发光
,
禁带宽度
朱华超
,
满宝元
,
庒惠照
,
刘玫
,
薛成山
功能材料
用脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积GaN薄膜,为了减小Si衬底与GaN薄膜之间的热失配和晶格失配引入SiC缓冲层.脉冲激光沉积后的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在950℃下退火15min.得到结晶的GaN薄膜.并用X 射线衍射、原子力显微镜、傅立叶红外吸收谱、光致发光谱研究了SiC缓冲层对GaN薄膜的结晶、形貌和光学性质的影响.
关键词:
脉冲激光沉积
,
氮化镓薄膜
,
碳化硅缓冲层
,
退火
冯立兵
,
刘爱华
,
刘玫
,
马玉英
,
满宝元
功能材料
采用脉冲激光沉积技术先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,然后在石英炉中热蒸发金属锌粉的方法制备了ZnO晶须.分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光(PL)谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了表征.结果表明,采用此方法得到的ZnO多角晶须为六方纤锌矿结构, 其根部直径大约在100～500nm之间,尖部直径大约为40nm左右,长约几个微米.Zn薄膜能够有效地促使晶核的形成与长大从而促进了ZnO晶须的形成.最后, 简单讨论了ZnO 纳米晶须的生长机制.
关键词:
ZnO
,
晶须
,
X射线衍射
,
光致发光
姜守振
,
王传超
,
满宝元
,
许士才
,
王善朋
功能材料
在不同的衬底温度下在n型Si（111）衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了（002）择优取向的具有室温铁磁性的Zn0.95Co0.05O薄膜。X射线衍射显示所生长的薄膜呈六方纤锌矿结构。X射线光电子能谱测试表明薄膜中出现的室温铁磁性不是由于Co团簇产生的。发现薄膜生长过程中产生的间隙锌、氧空位以及晶格缺陷对铁磁性有显著的影响。通过改变衬底温度可以控制薄膜中间隙锌、氧空位及晶格缺陷的数量,薄膜的铁磁性同时也可以被明显地改变,这是缺陷与薄膜的室温铁磁性相关的直接证据。
关键词:
ZnCoO
,
铁磁
,
脉冲激光沉积
,
温度
马玉英
,
刘爱华
,
许士才
,
郭进进
,
侯娟
,
满宝元
材料导报
采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性.分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱.
关键词:
β-FeSi2
,
薄膜
,
PLD
,
光致发光
,
3D显微分析
