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量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响

陆敏 , 杨志坚 , 潘尧波 , 陆羽 , 陈志忠 , 张国义

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.009

采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.

关键词: 紫光二极管 , MOCVD , GaN , 量子阱结构