杨帆
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杨瑞霞
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陈爱华
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孙聂枫
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刘志国
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李晓岚
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潘静
人工晶体学报
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性.由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加.
关键词:
磷化铟
,
富磷
,
液封直拉法
,
缺陷
李白存
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樊君
,
汤春妮
,
潘静
,
胡晓云
材料导报
以PMDA和ODA为单体原料、DMF为溶剂、TEOS为有机硅源,采用溶胶-凝胶法制备了PI/SiO2杂化薄膜,测试了杂化薄膜的透光率和隔热性能;采用FT-IR、SEM、TG-DTA等分析手段对杂化薄膜的结构、微观形貌及热稳定性进行了表征.结果表明,杂化薄膜的可见光透过率高于85%,紫外光透过率低于10%.隔热性能测试结果显示,杂化薄膜具有良好的隔热性能.结构分析证明,热处理后生成了聚酰亚胺环,形成了有机相-无机相互穿结构.热重分析表明,掺杂SiO2的薄膜失重5%的温度升高了24℃.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
杂化薄膜
,
透光性
,
隔热性
