谢自力
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张荣
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修向前
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毕朝霞
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刘斌
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濮林
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陈敦军
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韩平
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顾书林
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江若琏
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朱顺明
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赵红
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施毅
,
郑有炓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.014
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜.首先以TMIn作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜.X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集.原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并.自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN.我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长.
关键词:
InN
,
预淀积In纳米点
,
MOCVD
叶敏华
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王丁迪
,
徐子敬
,
濮林
,
施毅
,
韩民
,
张荣
,
郑有炓
功能材料
结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构,采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征.Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上,通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度.在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中,由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移.
关键词:
纳米点
,
纳米线
,
制备
,
微结构
朱瑞
,
董诗远
,
韩志达
,
濮林
,
张荣
,
郑有炓
,
施毅
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.045
通过电弧熔炼的方法制备了Mn50Ni41-xFexSn9合金(x=0,2,4).采用 X射线衍射、综合物性测试系统、振动样品磁强计对合金的晶体结构、相变、磁热效应和交换偏置效应进行了研究.结果表明,随着 Fe 含量的增加,马氏体转变温度逐渐降低,马氏体居里温度逐渐增加.Fe 的加入使材料马氏体相变附近的磁化强度的变化增加,从而使其具有较大的磁热效应.另外,Fe 的加入使材料的交换偏置场逐渐降低,这可以用 Fe 掺杂导致的铁磁交换作用的增强来解释.
关键词:
铁磁形状记忆合金
,
马氏体相变
,
磁热效应
,
交换偏置效应