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MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

王振华 , 杨安丽 , 刘祥林 , 魏鸿源 , 焦春美 , 朱勤生 , 杨少延 , 王占国

人工晶体学报

利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400～600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量.研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主...

关键词: ZnO , 甲醇 , MOCVD , 生长温度