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卓世异 , 刘学超 , 熊泽 , 陈之战 , 杨建华 , 施尔畏
人工晶体学报
ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点.传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系.而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性.本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展.
关键词: 稀磁半导体 , ZnO , 非磁性元素掺杂 , 室温铁磁性
邵伟 , 熊泽 , 黎姝华
材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.1999.10.014
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