祝莹莹
,
邓文
,
孙顺平
,
江海峰
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黄宇阳
,
曹名洲
,
熊良钺
稀有金属材料与工程
测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.
关键词:
TiAl合金
,
d-d电子相互作用
,
缺陷
,
正电子湮没技术
邓文
,
胡益丰
,
岳丽
,
郝文博
,
黄乐
,
黄宇阳
,
熊良钺
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.008
采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,A,=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化.
关键词:
NiTi合金
,
微观缺陷
,
电子密度
,
马氏体相变
,
正电子湮没
季国坤
,
刘年庆
,
王淑英
,
姜健
,
熊良钺
,
龙期威
金属学报
<正> 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性
关键词:
邓文
,
祝莹莹
,
周银娥
,
黄宇阳
,
曹名洲
,
熊良钺
稀有金属材料与工程
测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关.在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应.在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性.
关键词:
TiAl合金
,
电子密度
,
缺陷
,
正电子湮没
邓文
,
熊良钺
,
龙期威
,
王淑荷
,
郭建亭
金属学报
本文用正电子湮没技术(PAT)研究了不同硼含量的单晶和多晶Ni_3Al中硼原子的存在形式。在Ni_3Al合金中加入少量硼(≤1.37％)时,一部分硼原子以间隙方式溶解到基体中,使晶格发生畸变,导致基体中正电子寿命(τ)增长;另一部分硼偏聚到空位型缺陷上,产生“填充效应”,导致平均寿命■和S参数下降。硼量为2.22at.-％时,缺陷态的τ显著增长,■和S参数增大,表明在晶界成晶内析出硼化物,诱发了较多的自由体积较大的缺陷。
关键词:
Ni_3Al
,
positron annihilation
,
B additive
,
defect
邓文
,
熊良钺
,
王淑荷
,
郭建亭
金属学报
对二元Fe-Al合金,含Cr和Si的Fe3Al合金的正电子寿命谱测量表明:随着二元Fe-Al合金中Al含量的增加,空位浓度增加,微孔洞的开空间增大.在Al含量高于40%(原子分数)的B2-FeAl合金中存在着较高的空位浓度和开空间相当于Fe中10-15个空位聚集体的微空洞.在B2-FeAl和D03 Fe3Al合金中,晶格中最邻近的Fe-Al原子对之间发生Fe d Al p杂化作用,Al的3p电子与Fe的3d电子被局域化并形成共价键,导致合金中的自由电子密度降低.二元Fe-Al合金中的平均电子密度随着Al含量的增加而下降.用Cr元素对Fe3Al进行合金化,合金基体和晶界处的自由电子密度均增加;而加入Si元素,合金基体和晶界处的自由电子密度均减小.讨论了Fe-Al合金的微结构对其力学性能的影响.
关键词:
Fe-Al合金
,
null
,
null
谷月峰
,
邓文
,
郭建亭
,
熊良钺
,
林栋梁
金属学报
本文用正电子湮没技术（ＰＴＡ）研究了含不同ｚｒ量多晶Ｎｉ３Ａｌ的ｅ＋寿命谱。结果表明：在Ｎｉ３Ａｌ中加入Ｚｒ，一部分Ｚｒ原子进行原子替位，使晶格发生畸变，导致基体中正电子寿命（τ_１）增长；另一部分在晶界偏聚的Ｚｒ调整了晶界结构，使平均寿命（τ）下降。当Ｚｒ量为１．２ａｔ．－％时，缺陷态的寿命τ２显著增长，表明有自由体积较大的缺陷组态生成．
关键词:
正电子湮没
,
null
,
null
,
null
