牛南辉
,
王怀兵
,
刘建平
,
刘乃鑫
,
邢艳辉
,
李彤
,
张念国
,
韩军
,
邓军
,
沈光地
功能材料
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底(0～0.3°)上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析.结果表明,采用具有斜切角度的衬底,可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性,并且存在一个衬底最优斜切角度0.2°,此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好.
关键词:
氮化镓
,
蓝宝石衬底
,
斜切角度
,
DCXRD
,
MOCVD
邢艳辉
,
韩军
,
邓军
,
刘建平
,
牛南辉
,
李彤
,
沈光地
功能材料
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.
关键词:
p-氮化镓
,
δ掺杂
,
原子力显微镜
,
金属有机物化学气相淀积
