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金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

黄园媛 , 石培培 , 牛巧利 , 章勇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.04.003

利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜.研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析.结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱.优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10％.

关键词: 金属诱导晶化 , p型多晶硅薄膜 , 非晶硅薄膜

基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述

陈心满 , 赵灵智 , 牛巧利

材料导报

随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求.阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域.就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述.

关键词: RRAM存储器 , 阻变效应 , 电阻存储 , 物理机制

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