李家亮
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牛金叶
硅酸盐通报
以甲硅烷(20%甲硅烷+80%氢气)和氨气作为反应前驱体,选择孔隙率为20%左右的多孔石英陶瓷基体,采用CVD法在多孔石英基体表面制备了氮化硅涂层.研究了沉积反应温度、反应压力、反应气体配比以及沉积时间等工艺参数对附着力的影响,确定了CVD法制备氮化硅涂层的最佳工艺参数,通过对所得涂层及复合材料进行抗弯强度和介电性能的表征,探讨了氮化硅涂层对多孔石英基体力学性能和介电性能的影响.
关键词:
CVD
,
多孔石英陶瓷
,
氮化硅涂层
李家亮
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陈斐
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牛金叶
硅酸盐通报
本文采用氧化镁(MgO)和磷酸铝(AlPO4)为烧结助剂,利用常压烧结工艺于1600℃制备了以α相为主相的氮化硅( Si3N4)陶瓷材料.利用XRD和SEM等对其物相组成和显微结构进行了表征,并分析烧结助剂含量对材料致密度的影响,研究氮化硅陶瓷的致密度与其力学性能之间的关系.结果表明:当AlPO4含量为20wt% ~ 30wt%时,氮化硅陶瓷的致密度可达90%以上,抗弯强度为250~320 MPa.AlPO4在Si3N4陶瓷烧结中对提高其致密度与力学性能起到了重要的作用.
关键词:
氮化硅陶瓷
,
低温常压烧结
,
AlPO4