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中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能

王春 , 牟宗信 , 刘冰冰 , 臧海荣 , 牟晓东

材料科学与工程学报

本文采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在不同氮气流量比例的条件下制备出氮化硅薄膜.利用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、椭偏仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的微观结构、表面形貌、沉积速率、折射率的影响.结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态氮化硅.随着氮气流量比率的增加,Si-N键红外光谱吸收带向低波数漂移,薄膜的沉积速率降低,表面结构更为光滑致密,氮化硅薄膜的折射率降低.薄膜的硬度和杨氏模量分别达到22和220GPa左右.

关键词: 氮化硅薄膜 , 折射率 , 磁控溅射 , 红外光谱

中频磁控溅射制备锰铜传感器用合金薄膜的工艺

张延松 , 牟宗信 , 吴敏 , 丁昂 , 牟晓东 , 钱坤明

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.03.013

利用镀膜技术制作锰铜传感器,可以实现传感器的超薄化,提高传感器的灵敏度和线性度.改变溅射功率参数,采用中频磁控溅射技术在玻璃(SiO2)衬底上制备出一系列锰铜镍合金薄膜,重点研究沉积条件对薄膜式锰铜传感器薄膜结构、表面形貌等性能的影响.采用三维形貌仪测试薄膜厚度和计算沉积速率;采用原子力显微镜(AFM)研究薄膜的表面特征;采用X射线衍射(XRD)分析了热处理前后薄膜的微观结构;并采用直读光谱仪(DRS)测试溅射靶材和薄膜的成分.研究结果表明:沉积速率随溅射功率增加而增加,溅射功率达到1 kW后沉积速率保持在100 nm·min-;溅射功率也会明显的影响薄膜的表面形貌,薄膜的表面粗糙度RMS随溅射功率的增加而减小;XRD分析结果表明溅射功率对薄膜的微观结构影响不大,样品的微观结构在热处理前后没有显著变化,只是热处理后样品观察到了微弱的Mn微观结构取向;溅射功率变化对薄膜的成分影响较小,不同功率沉积的薄膜样品的成分相近.

关键词: 锰铜合金 , 溅射功率 , 形貌 , 磁控溅射

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