宗福建
,
马洪磊
,
薛成山
,
庄惠照
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
,
王书运
功能材料
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面...
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
光致发光
薛成山
,
董志华
,
庄惠照
,
王书运
,
高海永
,
田德恒
,
吴玉新
稀有金属材料与工程
为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜.同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底.其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力.为了比较中间层的作用,对按照两种方案...
关键词:
射频磁控溅射
,
自组装
,
中间层
,
SiC
庄惠照
,
高海永
,
薛成山
,
王书运
,
何建廷
,
董志华
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.031
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长...
关键词:
GaN纳米管
,
ZnO/Ga2O3薄膜
,
射频磁控溅射
,
氮化
魏芹芹
,
薛成山
,
孙振翠
,
庄惠照
,
王书运
稀有金属材料与工程
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜.用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析.通过分析薄膜各方...
关键词:
GaN
,
Ga2O3/Al2O3膜
,
氨化
,
磁控溅射
王书运
物理测试
针对目前使用WGD-8A系列组合式多功能光栅光谱仪测量氢氘光谱波长的试验中对谱仪的标定问题,本文讨论了两种标定方法对试验结果的影响,一种方法是对多条标准谱进行一次大范围测量取平均修正值来对谱仪进行标定,另一种是针对每条待测谱线用相临的标准谱分别进行标定和测量.结果表明,针对每条待测谱线对谱仪进行分次...
关键词:
氢氘光谱
,
线性内插法
,
标定
,
光栅光谱仪
