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GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析

田彦宝 , 吉元 , 王俊忠 , 张隐奇 , 关宝璐 , 郭霞 , 沈光地

功能材料

采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30~40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.

关键词: 电子背散射衍射(EBSD) , 微区应力 , GaAs-AlGaAs

掺杂晶体Cr3+∶MgAl2O4晶格畸变及基态自旋哈密顿参量的理论研究

杨子元 , 王俊忠 , 段绪朝

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.006

用自旋Hamilton理论和Newman的晶场叠加模型研究了Cr3+∶MgAl2O4晶体结构与自旋哈密顿(SH)参量之间的定量关系;在此基础上,计算了Cr3+∶MgAl2O4晶体的SH参量(D,g)及精细光谱,计算结果与观测一致.定量的研究结果表明,Cr3+离子掺入MgAl2O4晶体后,络离子(CrO6)9-的局域结构产生了一个压缩三角畸变(Δθ=2.729°).理论研究还表明,自旋二重态对零场分裂(ZSF)参量D的贡献大约为16%左右,而对g因子的贡献不足1%.这表明,用ZSF参量研究晶格畸变时,自旋二重态的贡献不可忽略.

关键词: Cr3+∶MgAl2O4晶体 , 晶体畸变 , 自旋哈密顿参量 , 精细光谱

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