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裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响

肖宗湖 , 张萌 , 熊传兵 , 江风益 , 王光绪 , 熊贻婧 , 汪延明

人工晶体学报

本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型Ga...

关键词: Si衬底 , InGaN/GaN , LED , 裂纹 , 应力