欢迎登录材料期刊网
曾庆明 , 徐晓春 , 刘伟吉 , 李献杰 , 敖金平 , 王全树 , 郭建魁 , 赵永林 , 揭俊锋
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.018
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.
关键词: GaAs , HBT , 微波单片集成电路